电压依赖性氯通道在3-吗啉斯德酮亚胺诱导的大鼠海马神经元凋亡中的作用

摘要：目的探讨氯通道与缺血性脑损伤的关系。方法离体培养12d的SD大鼠海马神经元,分为4组：正常对照组、3-吗啉斯德酮亚胺（SIN-1）处理组（SIN-11.0mmol.L^-1作用18h）、SIN-1＋4-4-二异硫氰茋-2,2′-二磺酸组（DIDS,0.1mmol.L^-1作用18h）及SIN-1＋4-乙酰氨基-4′-异氰酸茋-2,2′-二磺酸组（SITS,0.5mmo.lL^-1作用18h）。DNA荧光染色观察神经元形态及检测凋亡数目的变化;免疫荧光染色观察神经元两种电压门控氯通道（ClC-2/ClC-3）的表达;全细胞膜片钳技术记录神经元氯通道电流。结果Hoechst33258染色显示,正常对照组、SIN-1处理组、SIN-1＋SITS组和SIN-1＋DIDS组神经元凋亡百分数分别是：（18.61±0.59）%,（50.43±0.56）%,（23.37±0.52）%和（23.37±0.84）%;两种氯通道ClC-2/ClC-3在正常神经元上存在;SIN-1处理后的神经元氯通道电流较正常增加55%～56%;氯通道阻断剂SITS和DIDS分别能抑制氯通道电流的30%～40%和50%～60%。结论电压依赖性氯通道可能参与了SIN-1诱导的神经元凋亡,氯通道可能参与缺血性脑损伤过程。